Caracterización eléctrica de películas semiconductoras de Ga1-xInxAsySb1-y

En este trabajo se estudia, empleando el metodo de las cuatro puntas de Van der Pauw, el tipo y la concentracion de portadores de una serie de peliculas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y, fabricadas por la tecnica de Epitaxia en Fase Liquida, sobre sustratos monocristalinos de GaSb:Te (100). Se encontro que las muestras son tipo n con una alta densidad de portadores. Asi mismo, se tomaron curvas I-V para contactos electricos de Au y de Ag, observandose un comportamiento no lineal en ambos casos, caracteristico de un contacto bloqueante o barrera Schottky. Las mejores caracteristicas como dispositivo Schottky, fueron exhibidas por el contacto de Ag.