A semiempirical short-range order model for the chemical bond and related properties of SiO2 is proposed. With the help of a single parameter, the ionicity of the chemical bond, different electronic properties of SiO2 are evaluated as well as chemical trends in SiOx are investigated. The ionicity is determined spectroscopically through the optic dielectric constant or from photoemission spectra of the valence band. Relative sharing probabilities of the valence electrons at the atomic constituents are used to calculate the ionization energy and static effective atomic charges of SiO2. Es wird ein semiempirisches Nahordnungsmodell fur die chemische Bindung und mit ihr in Zusammenhang stehende Eigenschaften von SiO2 vorgeschlagen. Mit Hilfe eines einzelnen Parameters, der Ionizitat der chemischen Bindung, werden unterschiedliche elektronische Eigenschaften von SiO2 ausgewertet sowie chemische Trends in SiOx untersucht. Die Ionizitat wird spektroskopisch durch die optische dielektrische Konstante oder aus Photoemissionsspektren des Valenzbandes bestimmt. Relative Aufenthaltswahrscheinlichkeiten der Valenzelektronen an den atomaren Konstituenten werden benutzt, um die Ionisierungsenergie und statische effektive Atomladungen des SiO2 zu berechnen.
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K. Hübner (1977) studied this question.
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