Zusätzliche Lage: Die photoelektrochemische Aktivität von Hämatit in der Wasserspaltung wurde durch Modifikation der Oberfläche mit amorphem NiFeOx deutlich gesteigert (siehe Auftragung; FTO=fluordotiertes Zinnoxid; RHE=reversible Wasserstoffelektrode). Die gemessene Photospannung erhöht sich von 0.24 auf 0.61 V, woraus sich ein rekordverdächtig niedriges Einschaltpotential von 0.62 V ergibt.
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Du et al. (2013) studied this question.
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