Cross slip of single dissociated screw dislocations in silicon and germanium

Isolated screw segments intersecting a surface are shown to cross slip during annealing at T > > 0.6Tm in germanium and T > 0.7Tm in silicon. The process is investigated quantitatively by the double etching method and by X-ray topography. The activation energy can be determined and is compared with theoretical models of the cross slip process. Es wird gezeigt, das isolierte Schraubenversetzungssegmente, die durch die Oberflache durch stosen, wahrend des Temperns bei T > 0,6 Tm in Germanium und bei T > 0,7 Tm in Silizium quergleiten. Der Prozess wird quantitativ mit der Doppelatztechnik und der Rontgentopographiuntersucht. Die Aktivierungsenergie wird bestimmt und mit theoretischen Modellen des Quergleite prozesses verglichen.