高分子単結晶の厚さが熱処理中に増加する現象に対する前報の著者らの理論を高分子の部分融解現象を考慮することによって再検討した。融解現象の素過程が各折りたたみ鎖のほどけ過程であるとすると, 融点近傍の結晶化度はα (T)=(△h0s0L/kTm0T) △Tで与えられ, 厚化速度は厚化核の数と融解状態の鎖の密度に比例するとして, dL/dt=Ae-BL, B=(1/kT)(△h0s0△T/Tm0+d0σs2/2σe) で与えられる。ここでLは単結晶の厚さ, △h0は単位体積あたりの融解熱, d0およびs0は分子鎖の太さおよび断面積, σeおよびσsは単結晶層板の上面および側面の単位表面エネルギーである。
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Hirai et al. (1964) studied this question.