Effect of Deposition of Submonolayer Cs Coatings on the Density of Electronic States and Energy Band Parameters of CoSi2/Si(111)

За допомогою методів ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії, спектроскопії поглинання світла та вторинних електронів було вперше досліджено вплив осадження атомів Cs товщиною θ ≤ 1 моношар на густину електронних станів у валентній зоні та зоні провідності, параметри енергетичної зони та квантовий вихід фотоелектронів. Встановлено, що при осадженні цезію на поверхню дисиліциду кобальту товщиною θ ≤ 1 моношар, значення Еg і положення максимумів густини станів валентних електронів практично не змінюються, робота виходу фотоелектронів зменшується до 3 еВ, а квантовий вихід фотоелектронів збільшується в 3 і більше разів. Після осадження Cs на поверхню CoSi2/Si(111) товщиною d = 500 Å вихід вторинних електронів у вакуум збільшується, а початок спектру зміщується в бік менших енергій на ~ 2,4 еВ, тобто потенціальний бар'єр (спорідненість до електронів χ) зменшується на 2,4 еВ. Зменшення Ф відбувається переважно за рахунок зменшення ширини зони провідності χ. У роботі вперше експериментально визначені положення максимумів густини станів вільних електронів у зоні провідності CoSi2. Показано, що максимуми розташовані при енергіях 0,8 та 1,9 еВ нижче рівня вакууму.