あらましpoly-Si TFTにより構成された走査回路と, p型a-SiC : H, i型a-Si : H, n型a-SiC : Hを積層したpin型フォトダイオードを同一基板上に集積した密着型イメージセンサの素子特性を評価した.その結果, 上述のフォトダイオード構造を採用することにより明暗比5桁以上が得られ, n型a-SiC : Hを用いることが暗電流の低減および耐熱性の向上に効果があることがわかった.さらに, イメージセンサの残像特性に関しては, i層およびn層の膜厚等を最適化することで, 4%未満の低い残像率を得た.また, 分光感度特性, 光電変換特性においても好結果を得た.さらに, 60℃, 1,000時間の駆動試験でも特性の劣化がなく, 高い信頼性も確保できた.これらの特性は, CCD型イメージセンサの特性と比べても遜色がない.
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Oka et al. (1987) studied this question.