Hückel Molecular Orbital Calculation of p-Substituted Styrene Derivatives

ヒュケル型の分子軌道の計算によって種々のp-置換スチレンのπ-電子準位を求めた。置換基とべンゼン核間のクーロン積分,共鳴積分の補正パラメータとして a およびlを用いた。パラメータaは最高被占準位と最低空準位間のエネルギー差が測定された最低のπ-電子励起エネルギーに等しくなるように定め,パラメータlはStreitwieserの提案した値を採用した。このようにして求めた最高被占準位がイオン化電圧に相当するものとみなし,種々のp-置換スチレンのイオン化電圧を算出した。このようにして算出した値と電荷移動エネルギーから求めたイオン化電圧とよく一致した。また,分子軌道の計算結果を基礎として,親電子試薬に対するフロンティア電子密度を求め,この種のp-置換スチレンの重合反応の機作との関連に推論をこころみた。