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Invertierte organische photovoltaische Geräte, die auf einer Mischung aus poly(3-hexylthiophen) und einem Fulleren basieren, wurden entwickelt, indem eine lösungsverarbeitete ZnO-Zwischenschicht zwischen der Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Elektrode und der aktiven Schicht eingefügt wurde, wobei Ag als Lochsammler-Rückenkontakt verwendet wird. Eine effiziente Elektronenausbeute durch das ZnO und eine Lochausbeute durch das Ag, mit minimalem Verlust im Leerlaufpotenzial, wird mit einer zertifizierten Umwandlungswirkungsgrad von 2,58 % beobachtet. Die invertierte Architektur beseitigt die Notwendigkeit, poly(3,4-ethylenedioxythiophen):poly(styrenesulfonat) als ITO-Modifikator zu verwenden und einen Metall mit niedrigem Arbeitsfunktionen als Rückenkontakt in dem Gerät zu verwenden.
White et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.