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Der Oberflächenzustand nahe am oberen Ende der Valenzbänder an der gespaltenen (111)-Fläche von Si wurde mit Hilfe der winkelaufgelösten Photoemissionsspektroskopie bei einer Photonenergie von 10,2 eV untersucht. Anisotropie, Dispersion und Aufspaltung wurden beobachtet. Die Ergebnisse stimmen mit einer beträchtlichen Beimischung von S₂-Charakter in diesem Oberflächenzustandsband überein.
Rowe et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.
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