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Lark-Horovitz及其合作者对锗半导体的霍尔效应和电阻率的实验表明，单纯的晶格散射理论无法解释电阻率的温度依赖性。另一个可能的电阻来源是离化杂质中心的散射。这种电阻可以通过使用拉塞福散射公式进行计算。在洛伦兹-玻尔兹曼状态方程中，通过假设一个电子与一个离子的散射大致上独立于所有其他离子来评估碰撞项。这导致了电阻率的表达式为（单位为欧姆厘米）：=2. 1110^2^-2T^-3{2}ln1+36{^2d^2 (kT) ^2e^-4}，其中d是杂质离子之间的平均距离的一半，以及半导体的介电常数.
Conwell等人（周三）研究了这个问题.