Points critiques de bande de conduction et d'état de surface dans le silicium : une étude par photoémission inverse

À partir de mesures de la dispersion des deux bandes de conduction les plus basses dans le silicium par photoémission inverse résolue en k, les énergies des points critiques L₁^c et L₃^c ont été déterminées à 2. 400. 15 et 4. 150. 10 eV par rapport au bord de la bande de valence, respectivement. Une comparaison avec les énergies dérivées de la photoémission et des données optiques révèle une grande diminution excitonique de la transition E₁ de 0. 50. 2 eV. L'état de surface inoccupé le plus bas sur la surface Si (111) 21 est identifié à 1. 20. 1 eV.