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La reducción de especies de oxígeno de fondo, una mayor temperatura del sustrato y flujos bajos de arsénico durante el crecimiento han sido críticos para mejorar la luminiscencia de las aleaciones de AlxGa1−xAs por epitaxia de haz molecular. La atención a estos parámetros ha permitido cultivar películas de calidad muy mejorada que muestran una fuerte recombinación de excitones por primera vez. La principal impureza aceptora no intencionada resultó ser carbono.
Wicks et al. (Tue,) estudiaron esta cuestión.