Conductivité thermique dépendante de l'épaisseur du nitrure de gallium

À mesure que la taille des transistors en nitrure de gallium (GaN) est réduite pour atteindre des fréquences de fonctionnement plus élevées, la dissipation de chaleur devient le goulet d'étranglement critique dans la performance et la longévité des dispositifs. Malgré l'importance de caractériser la physique régissant le transport thermique dans les films minces de GaN, la littérature est loin d'être concluante. Dans cette lettre, nous rapportons des mesures de conductivité thermique dans un film de GaN d'épaisseur variant de 15 à 1000 nm, poussé sur 4H-SiC sans couche de transition. De plus, nous mesurons la conductivité thermique dans le film de GaN lorsqu'il a 1 μm d'épaisseur dans la plage de température de 300 à 600 K et utilisons un modèle de transport de phonons pour expliquer la conductivité thermique dans ce film.