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ON/OFF) und hervorragende Retention bei 300 °C. Wir bauen außerdem dreidimensionale Kreuzschienenarrays (bis zu fünf Schichten von 100 nm Memristoren) unter Verwendung von flüssigkeitsunterstützten Silikonmembranen und bestätigen experimentell die erfolgreiche Unterdrückung sowohl von intra- als auch von interschichtigen Schleppstromströmen durch die eingebauten Dioden. Die aktuelle Arbeit eröffnet Möglichkeiten für die kostengünstige Massenproduktion von dreidimensionalen Memristor-Arrays auf großen Silikon- und flexiblen Substraten, ohne die Schaltungs-komplexität zu erhöhen.
Li et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.