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, und ermöglicht einen Logik-Inverter mit einer ultrahohen Spannungsverstärkung >100. Die systematischen Transportstudien zeigen, dass der kontraintuitive vakanzverstärkte Transport aus einem nächstgelegenen Nachbar-Hopping-Leitungsmodell stammt, bei dem eine optimale SV-Dichte für die Maximierung der Ladungshopping-Wahrscheinlichkeit entscheidend ist. Schließlich wird der Vakanzvorteil auf andere monolagige 2D-Halbleiter weiter verallgemeinert; somit wird eine allgemeine Strategie zur Anpassung der Ladetransport-Eigenschaften monolagiger Materialien definiert.
Zhang et al. (Thu,) untersuchten diese Frage.
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