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Moiré-Supralattices von Übergangsmetall-Dichalkogenid (TMD) Doppelschichten haben gezeigt, dass sie korrelierte elektronische Zustände beherbergen, die aus dem Zusammenspiel von langwelligen Moiré-Potentialen und langfristigen Coulomb-Interaktionen entstehen. Hier untersuchen wir theoretisch die strukturelle Relaxation und die elektronische Einzelpartikelstruktur von verdrehten TMD-Homodoppelschichten. Aus der groß angelegten Dichtefunktionaltheorie-Berechnung und einem Kontinuumsmodell mit Schichtefreiheitsgraden stellen wir fest, dass das aus der Ebene gerichtete Gate-Feld eine einstellbare Ladungstransferlücke am Dirac-Punkt zwischen den ersten und zweiten Moiré-Valenzbändern erzeugt. Wir untersuchen weiter die Ladungsordnungen bei den fraktionalen Bandfüllungen. Im Flachband-Limit finden wir aus Monte-Carlo-Simulationen eine Reihe von ladungsgeordenten isolierenden Zuständen bei verschiedenen Füllungen n=14, 13, 12, 23, 1. Wir sagen voraus, dass das Gate-Feld einen Phasenübergang zwischen verschiedenen Elektronen-Kristallen bei fester Füllung n=12 oder 23 induziert. Bei halber Füllung n=1 ist der Grundzustand ein Mott-Isolator mit elektronisch induzierter Ferroelectricity. Diese Arbeit zeigt, dass TMD-Homodoppelschichten eine leistungsstarke Plattform für die Untersuchung von einstellbaren Ladungstransfer-Isolatoren und Ladungsordnungen bieten.
Zhang et al. (Mi,) haben diese Frage untersucht.