Transistor GAA de nanosheet MoS2 monolayer de alto desempenho

Resumo Neste artigo, são demonstrados transistores de efeito de campo gate-all-around (NS-GAAFETs) com 0,7 nm de espessura de nanosheet MoS2 monolayer e deposição de porta metálica conformal de alta constante dielétrica (κ). O dispositivo com comprimento de canal de 40 nm exibe uma alta densidade de corrente no estado ligado de ~410 μA μm −1 com uma grande razão on/off de 6 × 10 8 com tensão de dreno = 1 V. A resistência de contato extraída é de 0,48 ± 0,1 kΩ μm em NS-GAAFETs de MoS2 monolayer, mostrando assim um desempenho dominado pelo canal, com o comprimento do canal variando de 80 para 40 nm. A demonstração bem-sucedida do desempenho do dispositivo neste trabalho verifica o potencial de integração de dicompostos de metal de transição para aplicações futuras de transistores lógicos.