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Zusammenfassung Dieser Artikel präsentiert ein Verfahren zur monolithischen Integration von Gallium-Nitrid-Mikrometer-lichtemittierenden Dioden (MicroLEDs) mit einer Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) Dünnschichttransistor (TFT)-Backplane zur Herstellung eines aktiven Matrix-Microdisplays. Nach der Diskussion des Herstellungsprozesses werden einzelne LEDs, TFTs und das integrierte System charakterisiert. Die Ergebnisse zeigen ein 32 × 32 Pixel großes Microdisplay mit einer Helligkeit von über 1500 Nits. Die dynamischen Set- und Hold-Verhalten des aktiven Matrix-Pixelschaltkreises werden analysiert, um die Anwendbarkeit dieser Technologie für hoch- und niederfrequente Displays zu bestätigen.
Durnan et al. (Mittwoch) haben diese Frage untersucht.
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