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我们研究了几种在氮环境中进行低温热处理的单腔超导射频腔的射频性能。这些腔体在120至165°C的温度下进行了长时间（24至48小时）的处理，处理方式为高真空或低部分压力的超纯氮。在腔体从800°C冷却到165°C期间，当氮气在约300°C注入时，观察到了Q0的提高和Q的上升，且加速梯度未出现任何降低，保持在基线性能水平。该处理应用于几个频率范围为0.75至3.0 GHz的椭圆腔，结果显示低温氮处理提高了品质因子。Q的上升特性与在高温下氮合金化铌腔后通过电解抛光去除材料获得的特性相似。通过电子均匀自由程的变化确认了表面修饰，并根据热处理的温度和持续时间进行调节。随着射频场的增加，温度依赖的表面电阻下降，Q的上升现象在增加频率和降低温度时变得更强。这些数据表明，交叉频率约为0.95 GHz，Q的上升现象在2 K时发生。部分结果可以用现有的表面电阻内在场依赖性的模型进行定性解释，该模型包括平衡和非平衡准粒子分布函数。低于0.95 GHz的Q斜率变化可能是由于被困磁通对残余表面电阻的掩蔽贡献所致。由美国物理学会发布 2024
Dhakal et al. (Wed,) 研究了这个问题。