Resumo Os detectores à base de Carbeto de Silício (SiC) foram apontados como possíveis candidatos para detectores de nova geração tanto para radiação quanto para partículas carregadas. O SiC é, de fato, um material caracterizado por uma alta resistência à radiação, uma forte resistência mecânica e estabilidade térmica. Esta contribuição descreve a atividade em andamento relacionada ao estudo de dispositivos de Carbeto de Silício como dosímetros ou monitores de feixe em tempo real, no âmbito do ecossistema SAMOTHRACE. Em particular, será relatado o desenvolvimento de simulações precisas, utilizando o kit de ferramentas Geant4, que consideram as possíveis diferentes configurações e fabricantes do detector. Esta atividade é um passo crucial para entender a contribuição das regiões entre pixels.
D’Agata et al. (Mon,) estudaram esta questão.
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