Análise numérica do crescimento de Al2O3 e TiO2 e dissolução de oxigênio em um substrato metálico durante a oxidação isotérmica de uma liga de α-Ti a 973 K

O crescimento do óxido de Al2O3 e TiO2, bem como a dissolução de O durante a oxidação de uma liga de α-Ti a 973 K, foi simulado usando o método de volume finito acoplado com o método de cálculo de diagramas de fase (CALPHAD). Os resultados indicaram que a adição de 11,02 at.% de Al a um sistema Ti–O resultou na formação de uma camada de Al2O3 de 18 nm de espessura, que desacelerou o crescimento de TiO2 e a dissolução de O no substrato. Um aumento na concentração de O na interface óxido-metal também foi inibido pela formação de Al2O3. Uma fina zona de empobrecimento de Al foi formada na interface óxido-metal. Além disso, a formação de Al2O3 foi restringida pela baixa concentração e difusividade de Al no substrato.