Efeito de Fotoconductância Negativa: Uma Função de Extensão do Memristor à Base de TiOx

Resumo O efeito de fotoconductância negativa (NPC), definido como um aumento na resistência quando exposto à iluminação, possui grande potencial para aplicação em dispositivos fotoelétricos. Um memristor preparado com a estrutura de Ag|Quantum dots de grafeno (GQDs)|TiO x |SnO 2 dopado com F apresenta um comportamento típico de memória de comutação resistiva bipolar (RS). O efeito NPC é impressionantemente observado no ramo de alta resistência da memória RS, permitindo que a função do memristor se estenda tanto à exibição de lógica de memória quanto ao armazenamento de dados multiestados. O efeito NPC observado é atribuído à excitação, migração e compensação de vacâncias de oxigênio na interface GQDs/TiO x, onde o transporte de elétrons é eficientemente restringido devido à variação na distribuição de carga e potencial eletrostático sob iluminação. Experimentos, cálculos teóricos e modelos físicos são utilizados para projetar a interface com o objetivo de construir o efeito NPC no dispositivo memristivo. Esses resultados revelam um novo horizonte na extensão da funcionalidade do memristor.