Uma matriz de sinapses modificáveis eletricamente composta por transistores de efeito de campo metal-ferroelétrico-semiconductor (MFS) utilizando filmes finos de SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/

Uma matriz de transistores de efeito de campo metal-ferroelétrico-semiconductor (MFSFETs) é fabricada em uma estrutura de silício sobre isolante (SOI) usando SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/ como isolante de porta. É demonstrado que cada FET apresenta boas características como memória analógica não volátil devido à polarização parcial do filme de SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/ e que a matriz opera como um circuito de sinapse modificável eletricamente para realizar a operação de soma ponderada em uma rede neural artificial.