Medições potenciométricas das sub-bandas divididas por spin em um gás de elétrons bidimensional

A densidade de estados dos portadores em um poço quântico único de InAs de alta mobilidade é dividida por spin pelo efeito Rashba. A assimetria favorece estados de down-spin para portadores com momento positivo e estados de up-spin para portadores com momento negativo. Impondo uma corrente de polarização, ocorrem deslocamentos inequivalentes do potencial químico da sub-banda de spin, que são detectados usando um eletrodo de filme ferromagnético e uma medição de tensão em circuito aberto. Medições realizadas em três amostras em uma faixa de 77<T<296K demonstram a detecção de spin em uma interface ferromagneto-semiconductor e corroboram resultados experimentais anteriores de resistência interfacial dependente de spin.