不同材料的自旋轨道扭矩MRAM性能

摘要 自旋轨道扭矩（SOT）技术已成为开发具有优越性能指标的先进磁性器件的一种有前景的方法。SOT 通过自旋轨道相互作用生成自旋电流，从而有效地控制磁态。SOT 基于器件在磁化切换中的精确控制和低功耗为存储和逻辑应用带来了进步。本文对一系列材料（包括 Bi2Se3、Pt、Ta、W、WTe2、MoTe2 和 IrMn）中与 SOT 性能相关的各种参数进行了比较研究。通过分析自旋霍尔电导率（SHC）、电阻率、阻尼常数和自旋霍尔角（SHA）等关键材料属性，我们评估了这些因素如何影响 SOT 应用的有效性。临界电流密度和材料性能是磁化切换的关键参数。此外，我们探索了每种材料的保持时间和温度稳定性。我们的发现旨在识别 SOT 基于器件的最佳材料，并提供基于特定性能标准选择材料的框架。这一比较分析有助于 SOT 技术的发展，并支持下一代自旋电子器件的进步。