β-Ga2O3薄膜在功率电子学中的外延生长和掺杂的近期进展与展望

氧化镓因其卓越的材料特性而受到广泛关注，包括4.9 eV的超大带隙、8 MV/cm的高击穿电场，以及通过熔融法生长的大尺寸块体晶体的可获得性。这些优点使Ga2O3成为高功率电子学和太阳盲紫外光电应用的有前景材料。近年来，在单晶基底生长、薄膜外延和器件制造方面取得了重大进展。薄膜外延是充分发挥Ga2O3基器件潜力的重要步骤，因为它能精确控制载流子掺杂浓度、界面和缺陷最小化。本文综述了分子束外延、金属有机化学气相沉积、氢化物气相外延和其他生长技术在Ga2O3薄膜外延生长中的最新进展。我们将首先讨论Ga2O3在电子器件应用中的重要材料特性，接着简要回顾单晶基底的块体熔融生长现状。然后，我们将重点介绍薄膜外延生长技术的最新进展，强调掺杂对电气特性的控制、缺陷最小化及控制，以及(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3异质界面的发展进展，以适用于二维电子气。