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受脑启发的类脑计算因其能够进行并行和节能计算而引起广泛关注。然而，基于非晶/多晶氧化物的记忆电阻的突触权重通常表现出较大的非线性行为和高不对称性，这加剧了外围电路系统的复杂性。因此，迫切需要可控生长导电细丝以实现高度线性的导电调制。然而，常用非晶/多晶氧化物记忆电阻中细丝生长的随机行为使其变得非常具有挑战性。在这里，我们外延生长了Hf
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Zeng等人（星期四）研究了这个问题。