摘要 铌（Nb）薄膜已成为超导量子位发展的关键材料，超导量子位是量子计算技术的核心组成部分。本综述从材料角度全面考察了铌薄膜，重点关注其内在性能、制备方法/技术及其对量子位性能的影响，特别是通过表面和界面驱动的损耗机制。我们讨论了量子位操作所必需的关键材料性能。探讨了铌薄膜的多种沉积技术，如溅射、蒸发、分子束外延和原子层沉积，以及这些技术对薄膜质量、均匀性和量子位性能的影响。此外，分析了表面粗糙度、薄膜厚度和基底材料对量子相干性的影响。回顾了铌薄膜中缺陷和材料退化等挑战，以及缓解这些问题的策略。最后，介绍了铌薄膜研究的最新进展和未来方向，包括提升量子位相干性和实现大规模量子计算系统可扩展性的潜在改进。深入理解表面和界面现象对于推动量子位性能极限和实现下一代量子技术至关重要。
Chattaraj 等人（Thu，）研究了该问题。