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Self-powered Ge 2 Sb 2 Te 5 on n-Si photodiode for UV–Vis detection fabricated by Pulsed Laser Deposition | Synapse
March 3, 2026
自供电的 Ge 2 Sb 2 Te 5 n-Si光电二极管用于紫外-可见光检测,采用脉冲激光沉积法制备
BT
Bhavna Thakur
AM
Anirban Mitra
RK
Rajesh Kumar
Key Points
自供电光电二极管展现出增强的紫外-可见光检测能力,对光学应用至关重要。
光电二极管通过整合 Ge2Sb2Te5 材料实现了检测性能的提升。
采用脉冲激光沉积法制造光电二极管,确保高质量薄膜。
本研究突出了紫外检测技术的显著进展,这可能导致实际传感器应用。
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Thakur 等(星期三)研究了这个问题。
synapsesocial.com/papers/69a7603dc6e9836116a2cca4
https://doi.org/https://doi.org/10.1016/j.optmat.2026.117930
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