MEMS应用中的前侧到背侧光刻的亚微米对准精度

Key Points

• 实现的对准精度测量达到亚微米级，这对MEMS应用至关重要。
• 本研究集中于前侧到背侧光刻技术的精确注册。
• 在各种条件下测试了亚微米对准方法，以评估其在设备制造中的有效性。
• 结果可能会促进MEMS设备生产质量的提高，但需要进一步研究以实现实际应用。