基于ZnO/MoS2异质结的强健光电双模忆阻器，适用于突触仿生和内存计算

Key Points

• 双模忆阻器增强了突触仿生和内存计算应用。
• 关键证据表明，与ZnO/MoS2异质结相结合，性能得到了改善，效率提高。
• 评估集中于器件的光电特性，展示其在先进电子产品中的功能。
• 这一创新预示着神经形态计算框架的潜在进步；需要进一步验证。