自从混合钙钛矿作为光吸收体和光电器件中电荷运输介质引入以来，已展示出卓越的光电材料的多功能性。这些材料现在被用于光探测器、光催化及发光器件，具有从紫外到中红外光谱的发射能力。最近对远红外区的研究表明，脉冲太赫兹（THz）辐射可以有效生成、增强和探测。然而，根本的发射机制仍在争论之中，通常归因于非线性光学效应、表面电场、光德拜效应、体光电现象，或这些因素的组合。在这里，我们展示了在氟铵铅碘（FAPbI₃）薄膜中增加硫氰酸盐浓度——一种广泛使用的缺陷钝化策略——导致生成的THz脉冲的峰-峰幅度成比例增加。对表面和体相性质的光谱和显微分析表明，THz发射主要受内置表面电场方向、结晶度及这些因素之间的动态相互作用的影响，而不仅仅是缺陷浓度。我们的结果为通过表面缺陷工程优化基于混合钙钛矿的THz发射器和探测器提供了宝贵的见解，同时也澄清了此类方法的局限性。
Ponseca等（Mon，）研究了这个问题。