4H-SiC中重离子致损伤的光学表征

碳化硅与重离子之间的相互作用受SiC材料特性和重离子特征的共同决定。相关的重离子参数包括总阻止本领（S）及其分量——电子阻止本领（Se）和核阻止本领（Sn）、线性能量传递以及离子能量，而辐照条件则通过注量来表征。本研究探讨了入射离子参数如何影响生成的硅空位（VSi）总数、晶体结构损伤以及随之产生的诱导应变。利用光致发光光谱和拉曼光谱对重离子诱导的损伤进行了表征。结果表明，表面S的增加会提高VSi浓度、降低结晶度并引入宽拉曼特征，而表面较低的S值可提高结晶质量。重离子诱导的应变根据Sn和注量呈现出明显的S依赖性趋势。这些发现阐明了S和注量对VSi形成及晶体损伤的影响，从而加深了对SiC与重离子相互作用的理解。