摘要 本研究使用微波吸收作为探针，调查SnTe薄膜中Dirac费米子的存在。在微波吸收信号中观察到的Shubnikov–de Haas振荡被分析以了解未封层和封层样品，其中使用BaF2层保护拓扑表面态以防止降解。意外的是，即使先前的磁输运测量未显示其存在，未封层样品中也检测到了Dirac费米子的特征。这一发现强烈表明，拓扑表面态对大气暴露的退化具有稳健性，并且微波吸收测量可以揭示这些状态，即便它们在输运测量中无法获取。此外，在振荡的快速傅里叶变换中观察到Zeeman劈裂，表明存在低迁移率通道，这些通道之前仅在更高磁场下被检测到。
Prado等（Mon，）研究了这个问题。