摘要 高分辨率闪烁屏幕具有优越的光产额，在许多应用中发挥着关键作用。然而，传统单晶闪烁体面临超薄精密制造、易吸湿性和相对较低的光产额等限制，这阻碍了高分辨率X射线探测器的发展和应用。在本研究中，采用负压辅助低温溶液合成方法，利用阳极氧化铝(AAO)模板制备了Cs3Cu2I5-AAO闪烁屏，获得了超亮的发光，光产额超过70,000光子/MeV，并具有高空间分辨率(小于20 µm)。值得注意的是，除了传统的自捕获激子（STE）发射（λ STE = 450 nm）外，闪烁体还展示了一种前所未有的超快速蓝发射（λ BL = 438 nm），其平均寿命为τ avg = 2.279 ns。该现象在Cs3Cu2I5体系中首次被报道。基于合理的推测，我们提出了一种表面VI缺陷辅助的发光机制，将快速发射（λ BL = 438 nm）归因于合成过程中负压加热过程。此外，闪烁体在强照射条件下（高达563.5 mGy/s）表现出一致的发光性能，显示出显著的辐射抗力。这些结果突显了Cs3Cu2I5-AAO闪烁屏在半导体缺陷检测、生物组织成像和3D打印缺陷检测等应用中的良好潜力。
Hui等（Mon,）研究了这个问题。