自旋扩散下的自旋霍尔效应

Hirsch Phys. Rev. Lett. 83, 1834 (1999) 最近提出了一种基于异常散射机制的自旋霍尔效应，该效应不考虑自旋翻转散射。由于异常散射导致异常电流和有限的自旋扩散长度，我们从半经典Boltzmann方程推导出在自旋扩散存在下的自旋霍尔效应。当该公式应用于某些金属和半导体时，因自旋积累而产生的自旋霍尔电压的大小发现比磁性多层结构大得多。建议进行一项实验来测量这一自旋霍尔效应。