具有1纳米门长的MoS2晶体管

预测硅（Si）晶体管在5纳米（nm）以下的门长会因严重的短通道效应而失效。作为Si的替代品，某些层状半导体因其原子级均匀的厚度（可低至单层）、较低的介电常数、较大的带隙和较重的载流子有效质量而受到关注。在此，我们展示了使用单壁碳纳米管作为门电极的物理门长为1纳米的二硫化钼（MoS2）晶体管。这些超短设备具有优异的开关特性，近似理想的亚阈值摆幅约为每十倍65毫伏，开/关电流比约为106。模拟显示，在关态下有效通道长度约为3.9纳米，在开态下约为1纳米。