GaN高电子迁移率晶体管最新进展的综合综述：器件、制造与可靠性

基于GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）在大功率和高频器件应用中展现出卓越的特性。在本文中，我们综述了AlGaN/GaN HEMT的最新进展，主要包含以下内容。首先，将探讨器件制造和优化中的挑战。随后，将介绍器件制造技术的最新进展。最后，将讨论仿真研究中提出的一些具有前景的器件结构。