掺铒氧化铪中的铁电性

本文提供了掺铒氧化铪薄膜中铁电相的结构和电学证据。通过热原子层沉积工艺，制备了掺杂系列，从2.3到12.3摩尔% YO1.5在HfO2中。对10纳米厚薄膜的倾斜入射X射线衍射显示出接近立方相稳定区域的正交相。这种正交相的潜在铁电性通过对基于氮化钛的金属-绝缘体-金属电容器的极化滞回测量得到确认。对于5.2摩尔% YO1.5掺合物，剩余极化峰值为24 μC/cm2，励磁场约为1.2 MV/cm。考虑到符合沉积工艺的可用性和CMOS兼容性，铁电Y:HfO2暗示未来铁电存储器具有高扩展潜力。