集成波导耦合的Si₃N₄谐振器在超高Q值范围内

关于波导耦合谐振器的大多数研究集中在减少波导和耦合区域的损失。在这里，我们展示基于超低损耗Si₃N₄波导平台的完全集成谐振器。通过调整耦合器激励到谐振器，我们能够实现与直线总线波导耦合器相比，更低损耗的单模与多模波导宽度的耦合。这样，我们在9.65毫米弯曲半径下，实现了8100万的集成波导耦合内在品质因子（Qint）的创纪录高值，未来方向是更强和更低损耗的波导-谐振器耦合。这一结果为窄线宽集成二极管激光器、低噪声反馈系统、微波光子学研究和超稳定定时参考的集成可能性开辟了新方向。