使用Blech结构研究Cu/碳纳米管复合互连的电迁移特性

使用Blech测试结构研究了纯铜和铜/碳纳米管（CNT）复合材料的电迁移（EM）特性。纯铜和铜/CNT复合段在电流密度为1.2×10⁶ A/cm²的情况下进行了测试。测得Cu/CNT复合材料样本的平均空洞生长速率约为纯铜样本的四分之一。纯铜和铜/CNT复合材料的平均临界电流密度长度乘积分别估计为1800和5400 A/cm。Cu/CNT复合条的电迁移速率较慢归因于CNT的存在，CNT作为捕集中心，导致EM诱导迁移原子的扩散减少。