通过CVD间隔器自对准双图案化（SADP）实现22nm半间距图案化

自对准双图案化（SADP）是一种图案化技术，它使用在核心（模板）图案旁形成的CVD间隔器，这一核心图案是通过传统光刻定义的。在去除核心（模板）材料后，间隔器作为硬掩模，具有原始光刻定义模板的线密度的两倍。这种集成方案是扩展半间距分辨率超越当前光刻工具半间距限制的常规双图案化的替代方案。使用正型（间隔器作为掩模）的方法，我们展示了在300mm晶圆上创建22nm线和空间阵列的能力，且全晶圆关键尺寸均匀性（CDU）< 2nm（3sigma）和线边粗糙度（LER）< 2nm。这些22nm线和空间结果源于使用1.2NA 193nm水浸光刻进行的模板光刻。在本文中，我们还展示了批次间的可制造性，处理两种基材类型（STI和硅氧化物沟槽）的图案化，以及展示用于电路设计的网格设计规则（GDR）构建块的形成。