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拓扑绝缘体被认为最好被描述为表现出以基本物理常数量子化的响应函数的体磁电材料。在这里，我们将三维（3D）Bi2Se3 薄膜的化学势降低到约 30 meV 高于狄拉克点，并使用高精度时域太赫兹偏振测量探测其在磁场存在下的低能电动力学响应。在高于 5 特斯拉的磁场下，我们观察到了量子化的法拉第和克尔旋转，而直流输运仍然是半经典的。对这些值的非平凡贝里相位偏移为轴子电动力学和拓扑磁电效应提供了证据。这些测量中使用的时间结构允许根据固态系统的拓扑不变量直接测量细结构常数.
Wu et al. (Thu,) 研究了这个问题.