半填充一维扩展哈伯德模型的基态相图

使用密度矩阵重整化群研究具有现场 (U) 和最近邻 (V) 排斥及跃迁 t 的一维半填充哈伯德模型的相图。临界线 V(c)(U) 约为 U/2，将莫特绝缘相与电荷密度波相分开。对于 V>2t，束缚电荷激发的形成使相变从连续型变为一阶相变，在三临界点 U(t) 约为 3.7t，V(t)=2t。令人沮丧的有效反铁磁自旋耦合在临界线 V(c)(U) 诱导了一种键序波相，当 U(t)<U 近似 7t 时成立。