通过扫描隧道显微镜成像外延生长的石墨烯与碳化硅的界面

外延生长于SiC上的石墨烯被提议作为碳基电子元件的材料。理解石墨烯与SiC基底之间的界面对未来的应用非常重要。我们报告了使用扫描隧道显微镜成像单层石墨烯下方界面结构的能力。这样的成像是可能的，因为在费米能量（E₅）上下10.3eV的能量下，石墨烯呈现透明状态。我们基于密度泛函理论的计算分析显示这种透明性是如何源于石墨烯层在SiC基底上的电子结构。