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原子薄的二硫化钼（MoS2）是一种具有多种应用的二维半导体。近期在化学气相沉积中采用液体钼前驱体显著促进了MoS2单层和少层薄膜在晶圆规模上的可重复合成。在这项工作中，我们研究了载气流量对在SiO2/Si基底上通过液体前驱体中介化学气相沉积生长的二维二硫化钼的性质的影响。我们使用光学显微镜、扫描电子显微镜、拉曼光谱和光致发光光谱对样品进行了表征。我们分析了不同氮气载流量（从150到300 sccm）生长的样品，并讨论了载气流量对其性质的影响。我们发现MoS2片的侧面尺寸、形状与层数之间存在关联，并提出了一个定性生长模型，基于不同载流量导致的硫供应变化。我们展示了通过优化气流量，液体前驱体的使用可以合成最大侧面尺寸达100 µm的均匀单层片。这些结果对于深入了解MoS2的生长过程至关重要.
Esposito 等（周四）研究了这个问题。