使用角分辨光电子发射光谱和从头算带结构研究MoS2和MoSe2的电子结构

角分辨光电子发射光谱（ARPES）和从头算带结构计算已被用于研究钼矿（MoS(2)和MoSe(2)）的详细价带结构。从ARPES获得的实验带结构与使用线性增广平面波（LAPW）方法进行的理论计算结果良好一致。在从MoS(2)到MoSe(2)的过程中，价带的色散在k(平行)和k(垂直)方向上均减少，揭示了由于这些化合物中层间距或c/a比增大而导致的二维特性增强。价带宽度和带隙也发现减少，而价带的最大值从MoS(2)到MoSe(2)则向更高的结合能移动。