关于多晶硅的门控电导率和场发射特性的研究

使用多晶硅（poly-Si）作为阴极材料来制备平面电子管，显示出工艺简单且与集成电路（IC）技术兼容的优势。这种方法简化了器件制造过程，降低了生产成本，并对推进平面电子管IC的发展具有潜力。为了探讨多晶硅阴极平面电子管的场发射特性和调制机制，本研究通过测量薄膜中的电流变化，研究了在背门调制下多晶硅薄膜中的电子密度变化。此外，还考察了排水电压对调制效应的影响。基于这些发现，分析了多晶硅阴极的场发射电流与背门调制电压之间的关系，证明通过背门可以控制多晶硅阴极的场发射电流。观察到多晶硅阴极的场发射电流特性与其电子浓度之间存在正相关。这些结果为基于多晶硅的平面电子管的进步奠定了基础。