摘要 原子级薄的过渡金属二硫化物表现出强烈的激子效应和丰富的光–物质相互作用，但对其光学近场响应的主动控制仍然具有挑战性。在这里，我们展示了一种通过电化学插入四乙基铵离子来调节MoS 2近场响应的插层启用策略。得到的(TEA) x MoS 2显示出显著扩展的层间间距（12.17 Å）和其电子、介电和激子特性的显著重构。稳态和超快光谱揭示了红移和增强的激子共振，更明显的单层似发射响应，以及插层后延长的激子漂白动力学。一致性地，纳米光学成像显示显著增强的近场响应。结合光学分析支持了一种插层修饰的激子耦合近场模式，而不是传统的等离子体起源。因此，(TEA) x MoS 2使分子检测达到10 −9 m，确立了电化学插层作为范德瓦尔斯半导体中激子近场工程的实用方法。
李等人（周三）研究了这个问题。